UltraRAM很快就会消除对单独RAM和存储的需求

研究人员发表了一篇论文，描述了将为 UltraRAM 的大规模生产铺平道路的进展，UltraRAM 是一种很有前途的新存储技术。

该报告由英国兰开斯特大学的科学家撰写，将 UltraRAM 称为一种具有实现快速，超低能量电子存储潜力的非易失性存储器。

UltraRAM 将传统数据存储内存的非易失性与 RAM 的速度和耐用性相结合，这意味着它可以在未来作为通用内存进行部署。与目前的S21Ultra一样，S22Ultra也将支持三星S-Pen。。

UltraRAM 突破

正如我们的姊妹刊物Tom's Hardware所报道的那样，多年来已经进行了许多尝试来开发一种无需单独的 RAM 和数据存储的内存技术。今天，evleaks发布了即将推出的三星GalaxyS22Ultra设备的官方渲染图。从上图可以看出，S22Ultra采用类似GalaxyNote的工业设计，背面为四摄像头设置，前置单摄像头。

电阻式 RAM，磁阻式 RAM 和相变存储器都无法兑现他们的承诺而英特尔的 Optane 内存，一种松散可比的解决方案，也于去年从消费类PC 中撤出

可是，就性能而言，UltraRAM 的早期迹象是有希望的该报告称，内存技术提供至少 1000 年的数据存储时间和比 DRAM 和闪存低几个数量级的开关能量

一种快速，非易失性，高耐用性和低能量逻辑状态切换的存储器，即所谓的通用存储器，长期以来一直被认为是无法实现的，因为这种设备需要的物理特性明显相互矛盾 ，该论文指出

已经取得了重大进展，新兴的存储产品在小规模或大规模的商业生产中出现，但与传统存储器一样，逻辑状态稳定性和开关能量之间的权衡仍然存在UltraRAM 通过利用 InAs 量子阱 和 AlSb 势垒来创建三势垒谐振隧道 结构，打破了这一范式

该技术是深奥的，但其意义在于:将 RAM 和存储内存的属性结合起来的能力可以在从服务器和 PC 到游戏机等一系列用例中获得性能优势。我们已经看到了即将推出的三星GalaxyS22Ultra智能手机的几张非官方渲染图。