3nm工艺投产！三星反超台积电

据韩国媒体报道，三星电子今天正式投产GAA架构的3nm制程芯片，为赶超TSMC奠定基础据报道，GAA架构优于目前广泛使用的FinFET架构

TSMC此前宣布今年下半年量产3纳米工艺这意味着三星在先进技术方面首次超过了TSMC此外，英特尔预计明年下半年量产3nm工艺芯片

这个工厂的投产也打破了业内的很多猜疑此前，台湾省业界认为，三星可能因为3nm的良率低而不得不推迟量产

客观来说，这种怀疑是有历史依据的三星一直试图追赶TSMC的先进技术，但步子迈得太大，良品率不时成为隐患在代工市场，三星的份额也远远落后于TSMC

TSMC表示，不会对三星的突破发表评论据说TSMC基于FinFET架构的3nm工艺将进入量产阶段，它将与FINLEX架构相匹配另外，2nm工艺预计2025年量产

资料显示，三星60%的芯片制造产能供应给集团旗下的公司预计这种3nm产能也不例外，会被三星集团首先使用